TSV 技術(shù):核心工藝揭秘與廣泛應(yīng)用前景
在當(dāng)今半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,2.5D/3D 封裝技術(shù)作為前沿的先進(jìn)封裝工藝,實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣。它涵蓋了芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級(jí)薄膜工藝等多種類型,并且會(huì)根據(jù)不...
分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2025-08-05 閱讀:940 關(guān)鍵詞:TSV 技術(shù)
TSV 是先進(jìn)封裝技術(shù)里一種至關(guān)重要的垂直互連技術(shù),通過在芯片內(nèi)部打通通道,實(shí)現(xiàn)電氣信號(hào)的垂直傳輸。這一技術(shù)可顯著提高芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸效率,減少信號(hào)延遲,降低功耗,同時(shí)提升封裝的集成密度。工作原理TSV 基...
分類:其它 時(shí)間:2016-07-21 閱讀:0
寬I/O標(biāo)準(zhǔn)將推動(dòng)TSV 3D堆疊性能
JEDEC在1月為寬I/O移動(dòng)DRAM發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)使用穿透硅通孔(TSV)在三維(3D)集成電路上連接DRAM和邏輯。憑借其512位寬的數(shù)據(jù)接口,在不增加功耗的前提下,JESD229寬I/O單倍數(shù)...
分類:其它 時(shí)間:2012-06-01 閱讀:437 關(guān)鍵詞:寬I/O標(biāo)準(zhǔn)將推動(dòng)TSV 3D堆疊性能
ST新推低功耗TSV85x和LMV82x運(yùn)算放大器
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及標(biāo)準(zhǔn)IC制造商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出兩款新系列低功耗運(yùn)算放大器。新產(chǎn)品精...
分類:其它 時(shí)間:2011-12-20 閱讀:3385 關(guān)鍵詞:ST新推低功耗TSV85x和LMV82x運(yùn)算放大器運(yùn)算放大器
捷通華聲推出嵌入式語音合成新產(chǎn)品-ejTTSv5.0
近來,隨著嵌入式移動(dòng)終端和移動(dòng)通信設(shè)備上的應(yīng)用日益豐富,運(yùn)算能力和智能化程度的不斷提高,如何讓用戶能在終端設(shè)備操作過程中更加簡(jiǎn)便、快捷和靈活地使用各種業(yè)務(wù),已經(jīng)成為嵌入式設(shè)備突破的關(guān)鍵。堅(jiān)持以市場(chǎng)為導(dǎo)...
分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間:2011-09-04 閱讀:2936 關(guān)鍵詞:嵌入式
隨著科學(xué)技術(shù)快速的發(fā)展,電接枝技術(shù)在各個(gè)當(dāng)中應(yīng)用。3D-IC設(shè)計(jì)者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),從而設(shè)計(jì)出更小尺寸的通孔,以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間,最終改進(jìn)信號(hào)的完整性。事實(shí)上,...
分類:其它 時(shí)間:2011-08-28 閱讀:2048
ST推出電池供電設(shè)備用寬帶CMOS輸入運(yùn)算放大器TSV911
ST推出兩個(gè)新系列的軌對(duì)軌高帶寬增益積(GBP)的運(yùn)算放大器,新產(chǎn)品的速度電流比十分優(yōu)異,采用節(jié)省空間的緊湊型封裝,可滿足傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)以及電池供電和緊湊型便攜應(yīng)用的需求。TSV911/2/4系列提供8MHz的增益帶寬積...
分類:模擬技術(shù) 時(shí)間:2007-08-02 閱讀:2345 關(guān)鍵詞:ST推出電池供電設(shè)備用寬帶CMOS輸入運(yùn)算放大器TSV91110008MHZ20MHZSO14TSSOP14SOT23-5
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